GaAs、GaP和GaN主要通过MOCVD（金属有机气相生长法）形成。 可适应高速旋转、高真空、氯化物和有机金属等活性气体氛围的磁性流体密封，最适合各种方式的外延增长设备。
其它型号：
G1B-B无水冷（轴径≤8）
G1B-B带水冷（轴径≤10）
G2B-B无水冷（轴径≤8）
G2B-B无水冷（轴径≤10）
FRB-B（轴径≤8）连电机
FRB-B水冷（轴径≤10）连电机
LSB-B（轴径≤8）无水冷
ESB-B（轴径≤8）无水冷
KMB-B（轴径≤10）无水冷
G1B-C（轴径≤25）带水冷
G1T-B（中空型）带水冷
NFT-B（中空型）无水冷
